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(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門 | 論文
- 30aPS-48 超音速分子線によるRu(0001)表面上の酸素吸着の研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 放射光リアルタイム光電子分光で観たSi(111)表面の酸化過程
- Al(111)表面における超音速N_2ビームによる極薄AlN膜形成
- Cu_3Au表面自然酸化のシンクロトロン放射光を用いた光電子分光研究
- Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Si(001)表面における酸化膜形成とSiO脱離の共存機構
- 室温における酸素分子のSi(111)-7×7表面での初期吸着ダイナミクス
- Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い : リアルタイム光電子分光測定から(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 15aPS-26 SiO 質量分析と Si-2p 光電子分光の同時計測による Si(001) 表面における SiO 脱離と酸化膜形成の反応ダイナミクス(領域 9)
- 15aPS-22 銅表面における酸素吸着反応ダイナミクス(領域 9)
- 超音速酸素分子線を用いたSi(001)表面の高温酸化過程における化学反応ダイナミクス
- パルス伸張・圧縮を同一の正分散媒質で行う光パラメトリックチャープパルス増幅法
- 自己再生自動車触媒のXAFS, DANESによる構造研究
- GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
- リアルタイム光電子分光による極薄チタニウム酸化膜形成過程の「その場」観察 (特集/放射光利用とナノテクノロジー)
- RI使用施設におけるクリアランス検討委員会報告書の概要
- Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 24pZB-7 SiC半導体検出器の分光感度測定(半導体検出器,素粒子論)
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