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(株)東芝 ULSI研究所 | 論文
- 高速アナログ/ディジタル回路用高精度疑似飽和BJTモデル
- 14nmゲートCMOS技術 : poly-SiGe ゲート電極、及びNiSiを用いた低温プロセスによる性能向上
- 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
- 1トランジスタ/1キャパシタ型及びGAINセル型Chain FRAMの設計法
- 高速不揮発性メモリChain FRAMの設計法
- 高速、高密度Chain FRAMの設計
- 大容量・高バンド幅DRAMを実現する電源ノイズ低減法
- 1GビットDRAM用トレンチ・セル技術
- 低消費電力DRAMを実現する1/4 Vccビット線振幅方式
- 超低スタンドバイ電流DRAMの検討
- プリプロセス形CCDイメージセンサ : 画素加算形1/3インチ16万画素CCD撮像素子 : 情報入力
- 4)LSIによるP×64標準ビデオコーデック(情報入力研究会)
- LSIによるPx64標準ビデオコーデック : 情報入力
- 2)CATV用超広帯域同軸ケーブルの開発(無線技術研究会(132回))
- CATV用超広帯域同軸ケーブルの開発
- 5)CISPR東京大会出席報告(無線技術研究会(第86回))
- CISPR会議報告
- 最近のゴースト対策の動向
- CISPR東京大会出席報告 : 受信機関係を中心に
- 2.送受信・伝送技術(各技術分野における動向と展望 創立30周年記念特集)