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(株)東芝 材料・デバイス研究所 | 論文
- 制御電極付a-Si : H光導電型密着イメージセンサ
- 低ノイズLSI読み出しによるa-Si密着イメージセンサ
- SOIマルチ・チャンネルIGBTの電気特性
- SOI基板を用いた横型IEGTのオン特性
- 高耐圧60V SOI DMOSFET
- ハイビジョン液晶テレビ市場を切り開くオーバードライブ技術の現状とその課題
- 10-11 高輝度・広色再現域を実現する液晶カラーシャッタCRTの新規色偏光板構成
- 液晶カラーシャッター方式フィールド順次カラーCRTの高画質化に関する検討 : 反強誘電性液晶材料を用いた15"液晶カラーシャッター方式CRTの開発
- サーマルビアを用いたMCM放熱法の検討
- C-2-52 バスタブ構造を有するパワーFETの熱特性解析
- 新しいトリガー構造を有するLDMOS向けESD保護素子の開発
- バンプ実装による超小型移動通信モジュール
- 受動チップ部品の実装方式による高周波特性比較
- 光インタコネクション用1.4 Gb/s x 12チャネルLDドライバIC
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAs MMIC
- 60GHz帯MMICドレインミクサ
- 5-7 TFT-LCD用新低消費電力マルチメディア表示方式
- 低消費電力TFT-LCD用マルチフィールド駆動法の高性能化(Asia Display '95)
- 5VドライバICによる信号線反転駆動 : 低消費電力化の実現
- マルチフィールド駆動