川原 孝昭 | 三菱電機 (株) 中央研究所
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概要
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著作論文
- 溶液気化CVD法による(Ba,Sr)TiO_3高誘電率薄膜の形成技術
- SiH4プラズマCVDにおける膜前駆ラジカル組成に関する研究
- TEOS/O3常圧CVD反応解析と装置開発
- 枚葉型SiH4/O2常圧CVD装置の開発