海住 英生 | 慶大理工

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概要

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• 椎木 一夫

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• 両角 武

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• 西山 真生

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• 林 克典

  慶大理工

• 椎木 一夫

  慶應義塾大学大学院理工学研究科

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著作論文

• 24pPSB-4 第一原理バンド計算によるスピントンネル磁気抵抗効果に関する研究
• 24pPSB-27 第一原理バンド計算によるスピントンネル磁気抵抗効果に関する研究
• 28pPSA-16 Al/AlO/Al トンネル素子におけるリーク電流の特性評価
• 28pPSA-15 Al/AlO_x/Al トンネル接合における絶縁破壊に関する研究
• 28pPSA-13 トンネル素子における XPS による AlO_x 障壁厚さの評価
• スピントンネル接合の高周波インピーダンス特性
• スピントンネル素子の磁気キャパシタンス効果
• 17pPSA-5 強磁性トンネル接合における絶縁層の組成と電気・磁気特性
• 17pPSA-4 スピントンネル素子の高周波磁気インピーダンス効果に関する研究
• 17aPS-96 Al/Al_2O_3/Alにおける絶縁破壊メカニズム解析
• 29pYB-4 スピントンネル素子における高周波インピーダンス特性
• 27aPS-15 Co/Al_2O_3/Co/NiOトンネル素子における高周波インピーダンス特性
• 27aPS-14 強磁性トンネル接合における絶縁層が及ぼす影響
• 24pPSA-10 Co/AlO_x/Co TMR素子の絶縁破壊現象に関する研究II(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 12aPS-9 Co/AlOx/CoTMR 素子の定電圧印加での絶縁破壊現象に関する研究(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
• 27aPS-30 Co/Al_/Co TMR素子における絶縁破壊現象に関する研究(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
• 24pPSA-20 XPSを用いたCo/AlO_x/Coスピントンネル素子の絶縁層の評価(IV)(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24pPSA-12 Co/Al-oxide/Co TMR素子におけるリーク電流の特性評価(IV)(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24pPSA-11 反応性スパッタ法による絶縁層AlNの研究(II)(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24pPSA-6 トンネル確率の数値計算による障壁高さ・膜厚の評価(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 発振制御型磁気センシング法の応答特性
• 12aPS-136 Co/Al-oxide/Co TMR 素子におけるリーク電流の特性評価 (3)(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
• 12aPS-13 反応性スパッタ法による Co/AlO_x/Co 接合の研究(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
• 12aPS-10 XPS を用いた Co/AlO_x/Co スピントンネル素子の絶縁層の評価 (III)(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
• 12aPS-8 トンネル確率の数値計算による Al/Al-oxide/Al 素子の膜厚・障壁高さの推定(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
• 27aPS-46 反応性スパッタ法による絶縁層AINの研究(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
• 27aPS-28 反応性スパッタ法によるAlO_xを絶縁層とする強磁性トンネル接合の研究(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
• 27aPS-26 Co/Al-oxide/Co TMR素子におけるリーク電流の特性評価(2)(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
• 27aPS-25 XPSを用いたCo/AlO_x/Coスピントンネル素子の絶縁層の評価(II)(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
• トンネル磁気インピーダンス効果を用いた高感度磁気センシング方法
• スピントンネル素子を用いた新しい磁気センシング方法
• トンネル接合におけるリーク電流の特性評価
• スピントンネル接合のRF磁気インピーダンス効果
• スピントンネル素子における雑音の周波数特性
• Al/Co/Al_2O_3/Co/Alスピントンネル素子の高周波インピーダンス測定
• 21pPSA-1 反応性スパッタ法による絶縁層薄膜を有する TMR 素子に関する研究
• 28pPSA-14 反応性スパッタ法で作製した絶縁層薄膜 AlO_x
• 21pPSA-3 XPS を用いた Co/AlO_x/Co スピントンネル素子の絶縁層の評価
• 21pPSA-2 Co/Al-oxide/Co TMR 素子におけるリーク電流の特性評価
• 21pPSA-4 スピントンネル素子の d^2I/dV^2-V 特性
• 8pPSA-46 トンネル磁気インピーダンス効果の周波数特性(薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性講演,領域3)
• 8pPSA-5 AIO薄膜における絶縁破壊に関する研究(薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性講演,領域3)
• 25pPSA-20 Al/AlO/Alにおける絶縁破壊メカニズム(25pPSA 薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性,スピングラス・ランダム系,アモルファス系,領域3(磁性,磁気共鳴分野))
• 25pPSA-18 高周波磁気キャパシタンス効果に関する研究(25pPSA 薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性,スピングラス・ランダム系,アモルファス系,領域3(磁性,磁気共鳴分野))
• 25pPSA-19 強磁性トンネル接合における絶縁層及び界面に関する研究(25pPSA 薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性,スピングラス・ランダム系,アモルファス系,領域3(磁性,磁気共鳴分野))

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