24pPSB-27 第一原理バンド計算によるスピントンネル磁気抵抗効果に関する研究

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2000-03-10

著者

• 椎木 一夫

  慶大理工

• 小峰 啓史

  慶大・理工

• 海住 英生

  慶大理工

• 小峰 啓史

  慶大理工

関連論文

• 20aPS-7 電流制限型巨大磁気抵抗素子におけるノイズに関する研究II(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20aPS-4 高周波磁場におけるアモルファス合金薄膜の磁化特性測定(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20aPS-8 スピントンネル磁気抵抗素子におけるトンネル分光の温度依存性(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 18aPS-2 TMR素子Co/AlOx/Coの定電圧印可による絶縁破壊の研究(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 25pPSA-13 MgO・TMR素子の非弾性トンネル分光法を用いた評価(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・遍歴磁性等),領域3,磁性,磁気共鳴)
• 24pPSB-4 第一原理バンド計算によるスピントンネル磁気抵抗効果に関する研究
• 24pPSB-3 第一原理バンド計算によるNi薄膜の磁性に関する研究
• 23pPSA-4 Embedded Atomic Sphere法による遷移金属薄膜の電子状態計算
• 24pPSB-27 第一原理バンド計算によるスピントンネル磁気抵抗効果に関する研究
• 26pPSA-51 強磁性bct Ruの可能性
• 25aPS-6 Embedded Atomic Sphere法の非周期系への適用
• 28a-PS-95 Mo基板上Ru二原子層の構造安定性及び磁性
• 28a-PS-136 実空間差分と原子球を用いた電子状態計算法
• 26p-PSA-7 反強磁性酸化物NiOにおける結晶構造・組成の交換結合磁界への影響
• 30a-PS-22 界面mixingを考慮したCo/Cu人工格子の第一原理計算
• MR素子の磁化過程
• 端部の欠陥が軟磁性薄膜の磁化過程に及ぼす影響
• 23aPS-12 PSO法を用いた数値計算によるTMR素子の評価(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 22aPS-71 TMR素子の絶縁破壊(領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子,スピングラス,量子スピン系),領域3,磁性,磁気共鳴)
• 18aPS-1 TMR素子の絶縁破壊(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aPS-7 Co/AlO_x/Co TMR素子の絶縁層AlO_xにおける熱酸化の影響III(23aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aPS-8 TMR素子Co/AlO_x/Coの絶縁破壊に関する研究(23aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aPS-9 TMR素子の絶縁破壊温度依存性(23aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 28pPSA-16 Al/AlO/Al トンネル素子におけるリーク電流の特性評価
• 28pPSA-15 Al/AlO_x/Al トンネル接合における絶縁破壊に関する研究
• 28pPSA-13 トンネル素子における XPS による AlO_x 障壁厚さの評価
• スピントンネル接合の高周波インピーダンス特性
• 17pPSA-5 強磁性トンネル接合における絶縁層の組成と電気・磁気特性
• 17pPSA-4 スピントンネル素子の高周波磁気インピーダンス効果に関する研究
• 17aPS-96 Al/Al_2O_3/Alにおける絶縁破壊メカニズム解析
• 29pYB-4 スピントンネル素子における高周波インピーダンス特性
• 27aPS-15 Co/Al_2O_3/Co/NiOトンネル素子における高周波インピーダンス特性
• 27aPS-14 強磁性トンネル接合における絶縁層が及ぼす影響
• 25a-PS-73 ルテニウム準安定相の予測
• 20aPS-10 スピントンネル磁気抵抗素子における絶縁層の解析(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20aPS-6 絶縁層の酸化状態を変化させたスピントンネル素子の絶縁破壊(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 3a-YC-1 遷移金属合金におよぼす局所的電荷中性条件の影響
• 4a-PS-3 鉄窒素合金Fe_4Nの電子状態と磁性
• 3p-PSA-28 BCCRuの電子状態と磁性
• 29a-PS-39 電荷中性条件を入れた遷移金属合金におけるKKR-CPA法の適用
• 29a-PS-38 Fe_4X(X=H, B, C, N)の電子状態と磁性
• 15a-PS-12 鉄合金に及ぼす置換型不純物元素の影響
• MR素子の磁化過程
• 28a-PS-15 イオンビームスパッタ法により作製した鉄窒化膜
• イオンビームスパッタ法により作製した鉄窒化膜
• スピントンネル素子の磁化状態シミュレーション
• 27pPSB-5 CPP-GMR素子の電流分光(27pPSB 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• ECR・IBS法によるパーマロイ薄膜の作製
• 24pPSB-45 強磁性ジグザク細線の磁区構造と電気伝導II
• 記録ヘッド先端部の磁化状態
• fcc Niに及ぼす原子空孔の影響
• 31p-PSA-55 FeRu合金の電子状態と磁性
• NiRu合金における電子状態と磁性
• 強磁性金属中におけるRuの電子状態と磁性
• 31p-PSA-65 Pdの磁性に対する原子空孔の影響
• 31a-P-3 高原子空孔濃度下におけるPdの電子状態
• 27pPSA-12 Co/AlO_x/Co TMR素子の絶縁層AlO_xにおける熱酸化の影響II(27pPSA 領域3ポスターセッション 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,f電子系磁性磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pPSA-12 TMR素子Co/AlO_x/CoのCo薄膜の磁化状態に関する研究(領域3ポスターセッション,薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pPSA-10 Co/AlO_x/Co TMR素子の絶縁層AlO_xにおける熱酸化の影響(領域3ポスターセッション,薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pPSA-9 Co/AlO_x/Co TMR素子の絶縁破壊現象に関する研究III(領域3ポスターセッション,薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pPSA-7 トンネル過程における非弾性トンネルの影響に関する研究(領域3ポスターセッション,薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24pPSA-9 Co/AlO_x/Co TMR素子の熱酸化による特性変化(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 12aPS-9 Co/AlOx/CoTMR 素子の定電圧印加での絶縁破壊現象に関する研究(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
• 27aPS-30 Co/Al_/Co TMR素子における絶縁破壊現象に関する研究(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
• 23aPS-14 絶縁体薄膜の表面状態に関する研究(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 22aPS-56 絶縁層薄膜の表面状態に関する研究(領域3ポスターセッション(f電子,遍歴,化合物,酸化物,磁性一般,表面・界面),領域3,磁性,磁気共鳴)
• 18aPS-3 TMR素子における絶縁層薄膜の表面状態と絶縁破壊の関係(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24pWF-4 ニオブ/黒鉛複合膜における超伝導近接効果
• 26a-YK-2 Mobility Spectrum解析によるグラファイト薄膜のキャリア密度及び移動度の膜厚依存性
• 1p-YJ-10 グラファイト薄膜におけるキャリア密度の膜厚依存性の解析
• 1p-YJ-9 第一原理計算による有限層数の黒鉛の電子状態
• 6p-E-2 グラファイト薄膜の電流磁気効果
• 28a-PS-19 第一原理計算による人工格子の巨大磁気抵抗効果
• 28a-PS-12 Ni/Cu人工格子における磁性と電子状態
• 28a-PS-8 Co_3/X_3人工格子の電子状態と巨大磁気抵抗効果
• 24pPSA-20 XPSを用いたCo/AlO_x/Coスピントンネル素子の絶縁層の評価(IV)(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24pPSA-12 Co/Al-oxide/Co TMR素子におけるリーク電流の特性評価(IV)(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24pPSA-11 反応性スパッタ法による絶縁層AlNの研究(II)(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24pPSA-6 トンネル確率の数値計算による障壁高さ・膜厚の評価(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 発振制御型磁気センシング法の応答特性
• 12aPS-136 Co/Al-oxide/Co TMR 素子におけるリーク電流の特性評価 (3)(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
• 12aPS-13 反応性スパッタ法による Co/AlO_x/Co 接合の研究(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
• 12aPS-10 XPS を用いた Co/AlO_x/Co スピントンネル素子の絶縁層の評価 (III)(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
• 12aPS-8 トンネル確率の数値計算による Al/Al-oxide/Al 素子の膜厚・障壁高さの推定(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
• 27aPS-46 反応性スパッタ法による絶縁層AINの研究(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
• 27aPS-28 反応性スパッタ法によるAlO_xを絶縁層とする強磁性トンネル接合の研究(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
• 27aPS-26 Co/Al-oxide/Co TMR素子におけるリーク電流の特性評価(2)(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
• 27aPS-25 XPSを用いたCo/AlO_x/Coスピントンネル素子の絶縁層の評価(II)(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
• トンネル磁気インピーダンス効果を用いた高感度磁気センシング方法
• スピントンネル素子を用いた新しい磁気センシング方法
• トンネル接合におけるリーク電流の特性評価
• スピントンネル接合のRF磁気インピーダンス効果
• 25aPS-17 スピントンネル磁気抵抗素子における絶縁層の解析(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• スピントンネル素子における雑音の周波数特性
• オフトラックオーバーライトにおける再生信号への影響
• オーバーライト時におけるオフトラックの記録磁化状態評価
• 両面横手磁気記録再生法の検討
• 面内横手磁気記録の可能性
• 17pPSA-44 遷移金属のキュリー点の第一原理計算
• 21pPSA-11 数値計算によるAl/AlO_x/Al・Co/AlO_x/Coトンネル素子の膜厚・障壁高さの評価に関する研究(領域3ポスターセッション,薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク