伊藤 雄一郎 | 株式会社富士通研究所基盤技術研究所

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概要

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関連著者

• 伊藤 雄一郎

  株式会社富士通研究所基盤技術研究所

• 石崎 洋之

  株式会社富士通研究所基盤技術研究所

• 菅野 俊雄

  防衛庁技術研究本部

• 伊藤 雄一郎

  富士通研究所厚木研究所赤外デバイス研究部

• 石崎 洋之

  富士通研究所厚木研究所赤外デバイス研究部

• 梶原 信之

  株式会社富士通研究所基盤技術研究所

• 佐賀 実

  防衛庁 技研本部

• 角田 令吉

  防衛庁技術研究本部

• 打越 政弘

  防衛庁技術研究本部第二研究所

• 中村 正昭

  富士通株式会社特機システム事業部

• 谷川 邦広

  富士通研究所厚木研究所赤外デバイス研究部

• 吉田 幸広

  富士通研

• 佐賀 実

  防衛庁技術研究本部第二研究所

• 長嶋 満宏

  防衛庁技術研究本部第2研究所

• 粟本 健司

  富士通研究所厚木研究所赤外デバイス研究部

• 吉田 幸広

  富士通研究所厚木研究所赤外デバイス研究部

• 宮本 義博

  株式会社富士通研究所基盤技術研究所

• 梶原 信之

  富士通研

• 伊藤 雄一郎

  (株)富士通研究所

• 梶原 信之

  (株)富士通研究所

• 石崎 洋之

  (株)富士通研究所

• 栗本 健司

  富士通研

• 谷川 邦広

  株式会社富士通研究所

• 管野 俊男

  防衛庁

• 谷川 邦広

  富士通

• 宮本 義博

  (株)富士通研究所 基盤技術研究所

• 長嶋 満宏

  防衛庁技術研究本部 第2研究所

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著作論文

• ハイブリッド型256×256画素10μm帯HgCdTe赤外線センサ
• 8)ハイブリッド型256×256画素10μm帯HgCdTe赤外センサ(情報入力研究会)
• ハイブリッド型256×256画素10μm帯HgCdTe赤外センサ : 情報入力
• HgCdTe IRCCDの解像度向上
• 裏面入射型赤外線検知器の画素分離溝による空間解像度の向上
• 2)HgCdTe IRCCDの高画質化(情報入力研究会)
• 3〜5μm帯64×64画素HgCdTe IRCCD(固体撮像技術)
• 1)3-5μm帯64×64画素HgCdTe IRCCD([テレビジョン方式・回路研究会テレビジョン電子装置研究会]合同)
• 3-5μm帯64×64画素HgCdTe IRCCD

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