菅野 俊雄 | 防衛庁技術研究本部
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概要
関連著者
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菅野 俊雄
防衛庁技術研究本部
-
佐賀 実
防衛庁 技研本部
-
伊藤 雄一郎
株式会社富士通研究所基盤技術研究所
-
石崎 洋之
株式会社富士通研究所基盤技術研究所
-
打越 政弘
防衛庁技術研究本部第二研究所
-
梶原 信之
株式会社富士通研究所基盤技術研究所
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長嶋 満宏
防衛庁技術研究本部第2研究所
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中村 正昭
富士通株式会社特機システム事業部
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長嶋 満宏
防衛庁技術研究本部 第2研究所
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木股 雅章
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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和田 英男
防衛庁技術研究本部
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和田 英男
防衛庁技術研究本部 第2研究所
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角田 令吉
防衛庁技術研究本部
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能田 祐昌
三菱電機株式会社鎌倉製作所
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熊田 祐昌
三菱電機株式会社
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伊藤 雄一郎
富士通研究所厚木研究所赤外デバイス研究部
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石崎 洋之
富士通研究所厚木研究所赤外デバイス研究部
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佐賀 実
防衛庁技術研究本部第二研究所
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谷川 邦広
富士通研究所厚木研究所赤外デバイス研究部
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木股 雅章
立命館大学
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曽根 孝典
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
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油谷 直毅
三菱電機
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中西 淳治
三菱電機
-
中西 淳治
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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曽根 孝典
三菱電機 先端技総研
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松原 俊夫
三菱電機
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宮本 義博
株式会社富士通研究所基盤技術研究所
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梶原 信之
富士通研
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伊藤 雄一郎
(株)富士通研究所
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梶原 信之
(株)富士通研究所
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石崎 洋之
(株)富士通研究所
-
谷川 邦広
株式会社富士通研究所
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木股 雅章
三菱電機株式会社
-
木股 雅章
三菱電機
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宮本 義博
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
著作論文
- ハイブリッド型256×256画素10μm帯HgCdTe赤外線センサ
- 8)ハイブリッド型256×256画素10μm帯HgCdTe赤外センサ(情報入力研究会)
- ハイブリッド型256×256画素10μm帯HgCdTe赤外センサ : 情報入力
- GeSi/Siヘテロ接合赤外線受光素子
- 裏面入射型赤外線検知器の画素分離溝による空間解像度の向上
- 3〜5μm帯64×64画素HgCdTe IRCCD(固体撮像技術)
- 3-5μm帯64×64画素HgCdTe IRCCD
- Si系モノリシック赤外線センサ
- Si基板上へのHgCdTe薄膜の作製
- 非冷却赤外線画像センサ
- 64×64画素10μm帯2次元アレイ赤外線検知器
- ボ-トスライド法によるHgCdTe薄膜結晶の作製
- ティッピング法によるHgCdTe薄膜結晶の作製
- MOCVD法によるHgCdTe薄膜結晶の作製
- MBE法によるHgCdTe薄膜結晶の作製
- スプレ-パイロリシス法による強誘電体PbTiO3及びPb5Ge3O11薄膜の作製
- 256×256画素10μm帯赤外線画像素子
- 赤外センサ-2-3〜5μm帯2次元アレイ検知器