打越 政弘 | 防衛庁技術研究本部第二研究所
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概要
関連著者
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打越 政弘
防衛庁技術研究本部第二研究所
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菅野 俊雄
防衛庁技術研究本部
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佐賀 実
防衛庁 技研本部
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伊藤 雄一郎
株式会社富士通研究所基盤技術研究所
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石崎 洋之
株式会社富士通研究所基盤技術研究所
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梶原 信之
株式会社富士通研究所基盤技術研究所
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中村 正昭
富士通株式会社特機システム事業部
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和田 英男
防衛庁技術研究本部 第2研究所
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佐賀 実
防衛庁技術研究本部第二研究所
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木股 雅章
立命館大学
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木股 雅章
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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油谷 直毅
三菱電機
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中西 淳治
三菱電機
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和田 英男
防衛庁技術研究本部
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中西 淳治
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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和田 英男
防衛庁技術研究本部第2研究所
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長嶋 満宏
防衛庁技術研究本部第2研究所
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能田 祐昌
三菱電機株式会社鎌倉製作所
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熊田 祐昌
三菱電機株式会社
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松原 俊夫
三菱電機
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伊藤 雄一郎
富士通研究所厚木研究所赤外デバイス研究部
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石崎 洋之
富士通研究所厚木研究所赤外デバイス研究部
-
梶原 信之
富士通研
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伊藤 雄一郎
(株)富士通研究所
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梶原 信之
(株)富士通研究所
-
石崎 洋之
(株)富士通研究所
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木股 雅章
三菱電機
-
長嶋 満宏
防衛庁技術研究本部 第2研究所
著作論文
- ハイブリッド型256×256画素10μm帯HgCdTe赤外線センサ
- 8)ハイブリッド型256×256画素10μm帯HgCdTe赤外センサ(情報入力研究会)
- ハイブリッド型256×256画素10μm帯HgCdTe赤外センサ : 情報入力
- GeSi/Siヘテロ接合赤外線受光素子
- 赤外線ド-ム材料の高温光学特性
- Si基板上へのHgCdTe薄膜の作製
- Si基板上へのHgCdTe受光素子の作製
- GeSi/Si受光素子の作製