ハイブリッド型256×256画素10μm帯HgCdTe赤外線センサ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
HgCdTeを用いたハイブリッド型256×256画素IRFPAを開発した.この大規模IRFPAを実現するに当たり, 以下の要素技術を開発した.(1)HgCdTeダイオードアレイとSi信号読出し回路間の熱歪み量を緩和する新しい薄層Si/サファイヤ構造を開発した.(2)感光波長領域については, 大気の赤外線透過特性を考慮し, カットオフ波長を最適化し9.3μmとした.(3)Si信号読出し回路については, 蓄積電荷を大きくするため, インタレース読出し法を採用し, 1.3×10^7個の蓄積電荷量を確保した.Si回路は, CMOS構成のスイッチングマトリックスである.また, HgCdTeダイオードアレイの界面保護膜には陽極硫化膜を適用し, ゼロバイアス抵抗6.5MΩ以上(カットオフ波長9.5μm)と良好な特性を得た.F/2.5の光学系で温度分解能0.06K, 欠陥画素0.5%以下と高性能な大規模IRFPAを実現した.
- 1995-04-20
著者
-
伊藤 雄一郎
株式会社富士通研究所基盤技術研究所
-
佐賀 実
防衛庁 技研本部
-
石崎 洋之
株式会社富士通研究所基盤技術研究所
-
菅野 俊雄
防衛庁技術研究本部
-
打越 政弘
防衛庁技術研究本部第二研究所
-
梶原 信之
株式会社富士通研究所基盤技術研究所
-
佐賀 実
防衛庁技術研究本部第二研究所
-
中村 正昭
富士通株式会社特機システム事業部
関連論文
- ハイブリッド型256×256画素10μm帯HgCdTe赤外線センサ
- 8)ハイブリッド型256×256画素10μm帯HgCdTe赤外センサ(情報入力研究会)
- ハイブリッド型256×256画素10μm帯HgCdTe赤外センサ : 情報入力
- GeSi/Siヘテロ接合赤外線受光素子
- HgCdTe IRCCDの解像度向上
- 裏面入射型赤外線検知器の画素分離溝による空間解像度の向上
- 2)HgCdTe IRCCDの高画質化(情報入力研究会)
- 3〜5μm帯64×64画素HgCdTe IRCCD(固体撮像技術)
- 1)3-5μm帯64×64画素HgCdTe IRCCD([テレビジョン方式・回路研究会テレビジョン電子装置研究会]合同)
- 3-5μm帯64×64画素HgCdTe IRCCD
- Si系モノリシック赤外線センサ
- 赤外線ド-ム材料の高温光学特性
- Si基板上へのHgCdTe薄膜の作製
- 非冷却赤外線画像センサ
- 64×64画素10μm帯2次元アレイ赤外線検知器
- ボ-トスライド法によるHgCdTe薄膜結晶の作製
- ティッピング法によるHgCdTe薄膜結晶の作製
- MOCVD法によるHgCdTe薄膜結晶の作製
- MBE法によるHgCdTe薄膜結晶の作製
- スプレ-パイロリシス法による強誘電体PbTiO3及びPb5Ge3O11薄膜の作製
- 技術総説 量子情報技術
- HgGa2S4による波長可変赤外線の発生
- 256×256画素10μm帯赤外線画像素子
- 赤外センサ-2-3〜5μm帯2次元アレイ検知器
- Si基板上へのHgCdTe受光素子の作製
- GeSi/Si受光素子の作製