佐賀 実 | 防衛庁 技研本部
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
佐賀 実
防衛庁 技研本部
-
菅野 俊雄
防衛庁技術研究本部
-
打越 政弘
防衛庁技術研究本部第二研究所
-
伊藤 雄一郎
株式会社富士通研究所基盤技術研究所
-
石崎 洋之
株式会社富士通研究所基盤技術研究所
-
梶原 信之
株式会社富士通研究所基盤技術研究所
-
中村 正昭
富士通株式会社特機システム事業部
-
佐賀 実
防衛庁技術研究本部第二研究所
-
伊藤 雄一郎
富士通研究所厚木研究所赤外デバイス研究部
-
石崎 洋之
富士通研究所厚木研究所赤外デバイス研究部
-
梶原 信之
富士通研
-
伊藤 雄一郎
(株)富士通研究所
-
梶原 信之
(株)富士通研究所
-
石崎 洋之
(株)富士通研究所
著作論文
- ハイブリッド型256×256画素10μm帯HgCdTe赤外線センサ
- 8)ハイブリッド型256×256画素10μm帯HgCdTe赤外センサ(情報入力研究会)
- ハイブリッド型256×256画素10μm帯HgCdTe赤外センサ : 情報入力
- Si基板上へのHgCdTe薄膜の作製
- 非冷却赤外線画像センサ
- 64×64画素10μm帯2次元アレイ赤外線検知器
- ボ-トスライド法によるHgCdTe薄膜結晶の作製
- ティッピング法によるHgCdTe薄膜結晶の作製
- MOCVD法によるHgCdTe薄膜結晶の作製
- MBE法によるHgCdTe薄膜結晶の作製
- スプレ-パイロリシス法による強誘電体PbTiO3及びPb5Ge3O11薄膜の作製
- 技術総説 量子情報技術
- HgGa2S4による波長可変赤外線の発生