長澤 弘幸 | Hoya株式会社先端技術研究所

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概要

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関連著者

• 長澤 弘幸

  Hoya株式会社先端技術研究所

• 八木 邦明

  HOYA株式会社先端技術研究所

• 酒井 信介

  東京大学大学院工学系研究科

• 酒井 信介

  東京大学

• 和泉 富雄

  東海大学工学部

• 和泉 富雄

  東海大学総合科学技術研究所

• 和泉 富雄

  電子情報学部エレクトロニクス学科

• 長澤 弘幸

  HOYA株式会社材料研究所

• 山口 洋一

  HOYA株式会社材料研究所

• 長澤 弘幸

  Hoya Advanced Semiconductor Technologies Co. Ltd.

• 中野 順太

  HOYA株式会社先端技術研究所

• 泉 聡志

  東京大学大学院 工学系研究科

• 酒井 信介

  東京大学大学院 工学系研究科

• 孫 楡

  東京大学大学院工学系研究科

• 八木 邦明

  HOYA

• 長澤 弘幸

  HOYA

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著作論文

• ホットウォールタイプLPCVD法をもちいたSi上への単結晶3C-SiC成長技術
• 大口径Si基板上への3C-SiC薄膜エピタキシャル成長 : 招待講演
• Si基板上への3C-SiCヘテロエピタキシャル成長
• 806 3C-SiC基板の反りへの積層欠陥分布の影響(OS8.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(2),OS・一般セッション講演)

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