福田 幸夫 | (株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
福田 幸夫
(株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
-
青木 克裕
(株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
-
橋本 聡
(株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
-
江本 知正
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社生産・技術本部
-
迫田 智幸
(株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
-
半田 治
日本テキサスインスツルメンツ株式会社
-
半田 治
日本テキサスインスツルメンツ(株)美浦工場
-
江本 知正
日本テキサスインスツルメンツ(株)美浦工場
-
江本 知正
日本テキサス・インスツルメンツ
-
沼田 乾
日本テキサスインスツルメンツ(株)、ulsi技術開発センター
-
西村 明俊
日本テキサスインスツルメンツ(株)、ulsi技術開発センター
-
Okuno Yasutoshi
Lsi Manufacturing Technology Unit Wafer Process Engineering Development Division Renesas Technology
-
Okuno Y
Lsi Manufacturing Technology Unit Wafer Process Engineering Development Division Renesas Technology
-
奥野 泰利
日本テキサスインスツルメンツ(株)、ulsi技術開発センター
-
奥野 泰利
松下電器産業(株)
-
福田 幸夫
日本テキサスインスツルメンツ(株)、ULSI技術開発センター
-
青木 克裕
日本テキサスインスツルメンツ(株)、ULSI技術開発センター
-
沼田 乾
(株)日本テキサスインスツルメンツULSI技術開発センター
-
福田 幸夫
(株)日本テキサスインスツルメンツULSI技術開発センター
-
青木 克裕
(株)日本テキサスインスツルメンツULSI技術開発センター
-
西村 明俊
(株)日本テキサスインスツルメンツULSI技術開発センター
-
Okuno Yasutoshi
ULSI Process Technology Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electronics Corp., 19, Nishikujo-kasuga cho, Minami-ku, Kyoto 601-8413, Japan
著作論文
- 高集積ロジックLSIに向けたPZT薄膜キャパシタ/Wプラグ構造形成と低電圧動作に関する研究
- 高集積ロジックICに向けた強誘電体薄膜キャパシタ/プラグ構造 : Wプラグ上へのPZT薄膜キャパシター形成技術における課題とその解
- 高集積ロジックICに向けた強誘電体薄膜キャパシタ/プラグ構造 : Wプラグ上へのPZT薄膜キャパシター形成技術における課題とその解
- Ba_xSr_TiO_3薄膜の電気特性と下部電極Pt/TiにおけるTi厚との相関
- セルキャパシター誘電体としてのBa_xSr_TiO_3が有する21世紀のDRAMに対する影響 : DRAMセルキャパシター構造の簡略化を指向した高誘電体薄膜の開発