セルキャパシター誘電体としてのBa_xSr_<(1-x)>TiO_3が有する21世紀のDRAMに対する影響 : DRAMセルキャパシター構造の簡略化を指向した高誘電体薄膜の開発
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概要
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Ba_xSr_<(1-x)>TiO_3の特性をDynamic Random Acccss Memory (DRAM)セルキャパシター誘電体に応用することを念頭に置いて調べた。電気容量密度は1OOfF/μm^2に達し、リーク電流も電圧±1.5Vで1×10^<-7>A,cm^2以下と小さい。下部電極やプロセス中の安定性の問題は残っているが、Ba_xSr_<(1-x)>TiO_3は64Gb DRAMの開発の始まる2010年頃までセルキャパシター誘電体として機能する可能性を持っている。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-18
著者
-
福田 幸夫
(株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
-
Okuno Yasutoshi
Lsi Manufacturing Technology Unit Wafer Process Engineering Development Division Renesas Technology
-
青木 克裕
(株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
-
Okuno Y
Lsi Manufacturing Technology Unit Wafer Process Engineering Development Division Renesas Technology
-
沼田 乾
日本テキサスインスツルメンツ(株)、ulsi技術開発センター
-
西村 明俊
日本テキサスインスツルメンツ(株)、ulsi技術開発センター
-
奥野 泰利
日本テキサスインスツルメンツ(株)、ulsi技術開発センター
-
奥野 泰利
松下電器産業(株)
-
福田 幸夫
日本テキサスインスツルメンツ(株)、ULSI技術開発センター
-
青木 克裕
日本テキサスインスツルメンツ(株)、ULSI技術開発センター
-
Okuno Yasutoshi
ULSI Process Technology Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electronics Corp., 19, Nishikujo-kasuga cho, Minami-ku, Kyoto 601-8413, Japan
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