Ba_xSr_<(1-x>TiO_3薄膜の電気特性と下部電極Pt/TiにおけるTi厚との相関
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概要
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次世代DRAMセルキャパシタ一用絶縁材料としてBa_xSr_<(1-x>TiO_3(BST)薄膜が広く研究されている。特にBSTのデポジション時の酸化と熱に強い下部電極を形成することがリーク電流の低いBST膜を得るために重要である。我々はBST用下部電極として一般的なPt/Tiを取り上げ、Ti厚を4nmから50nmまで変化させてBSTをスパッターデポジションし、C-VおよびI-V特性を比較した。Pt系の下部電極はBSTの結晶化に必要な600℃以上の温度でヒロックを生じることが知られており、BST膜のリーク電流を増加する。Ptのヒロックの形成の一因として、Ptを通しての酸素の拡散による下地Ti層の酸化が考えられる。我々はTi厚を出来るかぎり薄くすることによってPtのヒロックを抑え低いリーク電流を得ることを狙いとした。
- 1995-09-05
著者
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福田 幸夫
(株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
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青木 克裕
(株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
-
沼田 乾
日本テキサスインスツルメンツ(株)、ulsi技術開発センター
-
西村 明俊
日本テキサスインスツルメンツ(株)、ulsi技術開発センター
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沼田 乾
(株)日本テキサスインスツルメンツULSI技術開発センター
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福田 幸夫
(株)日本テキサスインスツルメンツULSI技術開発センター
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青木 克裕
(株)日本テキサスインスツルメンツULSI技術開発センター
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西村 明俊
(株)日本テキサスインスツルメンツULSI技術開発センター
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