沼田 乾 | 日本テキサスインスツルメンツ(株)、ulsi技術開発センター

スポンサーリンク

概要

• 沼田 乾の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 日本テキサスインスツルメンツ(株)、ulsi技術開発センターの論文著者

関連著者

• 福田 幸夫

  (株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター

• 青木 克裕

  (株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター

• 沼田 乾

  日本テキサスインスツルメンツ(株)、ulsi技術開発センター

• 西村 明俊

  日本テキサスインスツルメンツ(株)、ulsi技術開発センター

• Okuno Yasutoshi

  Lsi Manufacturing Technology Unit Wafer Process Engineering Development Division Renesas Technology

• Okuno Y

  Lsi Manufacturing Technology Unit Wafer Process Engineering Development Division Renesas Technology

• 奥野 泰利

  日本テキサスインスツルメンツ(株)、ulsi技術開発センター

• 奥野 泰利

  松下電器産業(株)

• 福田 幸夫

  日本テキサスインスツルメンツ(株)、ULSI技術開発センター

• 青木 克裕

  日本テキサスインスツルメンツ(株)、ULSI技術開発センター

• 沼田 乾

  (株)日本テキサスインスツルメンツULSI技術開発センター

• 福田 幸夫

  (株)日本テキサスインスツルメンツULSI技術開発センター

• 青木 克裕

  (株)日本テキサスインスツルメンツULSI技術開発センター

• 西村 明俊

  (株)日本テキサスインスツルメンツULSI技術開発センター

• Okuno Yasutoshi

  ULSI Process Technology Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electronics Corp., 19, Nishikujo-kasuga cho, Minami-ku, Kyoto 601-8413, Japan

もっと見る 閉じる

著作論文

• Ba_xSr_TiO_3薄膜の電気特性と下部電極Pt/TiにおけるTi厚との相関
• セルキャパシター誘電体としてのBa_xSr_TiO_3が有する21世紀のDRAMに対する影響 : DRAMセルキャパシター構造の簡略化を指向した高誘電体薄膜の開発

スポンサーリンク