高集積ロジックLSIに向けたPZT薄膜キャパシタ/Wプラグ構造形成と低電圧動作に関する研究
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概要
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Wプラグ上へのPZT薄膜キャパシタ直接形成と本キャパシタの低電圧動作について検討を行った.酸素中で熱処理したIr薄膜中の酸素分布をSIMS法で測定した結果,Ir薄膜中を酸素がほとんど拡散しないことが明らかになった.Ir薄膜電極を用いてゾルーゲルPZT薄膜を形成した場合,その形成温度が650℃であるにもかかわらずIr薄膜の優れた酸素拡散バリヤ効果によって電極下側のTiNバリヤ層とWプラグが酸化損傷を受けることがなく,良好なIr/PZT/Ir/TiN/Wプラグ構造が形成された.一方,低電圧動作においては,PZTの薄膜化に従ってTi含有量を増加することによって約1.5Vにおいて残留分極飽和を示すキャパシタ形成が可能であることを確認した.更に1.5Vで動作する本キャパシタは良好なスイッチング特性,保持特性及び耐疲労特性を示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-11-25
著者
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橋本 聡
(株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
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江本 知正
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社生産・技術本部
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福田 幸夫
(株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
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青木 克裕
(株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
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迫田 智幸
(株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
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半田 治
日本テキサスインスツルメンツ株式会社
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半田 治
日本テキサスインスツルメンツ(株)美浦工場
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江本 知正
日本テキサスインスツルメンツ(株)美浦工場
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江本 知正
日本テキサス・インスツルメンツ
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