鳥井 秀雄 | 映像デバイス開発センター
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概要
関連著者
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鳥井 秀雄
映像デバイス開発センター
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藤井 映志
松下電器産業(株)先端技術研究所 ナノテクノロジー研究所
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高山 良一
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
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鳥井 秀雄
松下電器産業(株)生活環境システム開発センター
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高山 良一
松下電器産業(株)中央研究所
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鳥井 秀雄
松下電器産業(株)材料部品研究所
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平澤 拓
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
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友澤 淳
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
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青木 正樹
松下電器産業 開研
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小寺 秀俊
京大工学研究科
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神野 伊策
松下電器産業(株)中央研究所
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野村 幸治
パナソニックエレクトロニックデバイス(株)開発技術センター
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鎌田 健
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
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村田 晶子
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
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藤井 覚
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
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島 進
京大工
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山本 敏博
京大工
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平澤 拓
京大工
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鎌田 健
松下電器産業
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藤井 映志
松下電気産業(株)開発研究所
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鳥井 秀雄
松下電気産業(株)開発研究所
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青木 正樹
松下電気産業(株)開発研究所
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藤井 映志
松下電器産業(株)無線研究所
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青木 正樹
松下電器産業(株)無線研究所
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青木 正樹
松下電器産業 (株) 無線研究所
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野村 幸治
パナソニック(株) 先端技術研究所 ナノプロセス技術グループ
著作論文
- 配向PZT薄膜の作製とマイクロ圧電素子への応用
- 高温度範囲・高応答性温度センサに用いる薄膜サーミスタの作製
- 機械的ひずみによるPb(Zr,Ti)O_3薄膜の誘電特性の製御に関する研究
- プラズマ励起MO-CVD法によるスピネル型酸化鉄(100)完全配向膜の生成 (超急冷合金・超硬質材料・イオン照射ナノメ-タコンポジット材料) -- (ナノメ-タコンポジット材料)
- プラズマ励起MO-CVD法による酸化鉄薄膜の生成 (超急冷合金・超硬質材料・イオン照射ナノメ-タコンポジット材料) -- (ナノメ-タコンポジット材料)
- プラズマ励起MO-CVD法によるスピネル型酸化鉄(100)完全配向膜の生成
- プラズマ励起MO-CVD法による酸化鉄簿膜の生成