平澤 拓 | 松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
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概要
関連著者
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平澤 拓
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
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小寺 秀俊
京都大学
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島 進
京大工
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山本 敏博
京大工
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島 進
京都大学
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坂本 裕樹
京大院
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島 進
京都大学工学部
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高山 良一
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
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鳥井 秀雄
映像デバイス開発センター
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山本 敏博
京都大学院
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高山 良一
松下電器産業(株)中央研究所
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平澤 拓
京都大学院
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小寺 秀俊
京大
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小寺 秀俊
京大工学研究科
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神野 伊策
松下電器産業(株)中央研究所
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野村 幸治
パナソニックエレクトロニックデバイス(株)開発技術センター
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藤井 映志
松下電器産業(株)先端技術研究所 ナノテクノロジー研究所
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鎌田 健
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
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村田 晶子
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
-
友澤 淳
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
-
藤井 覚
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
-
鳥井 秀雄
松下電器産業(株)生活環境システム開発センター
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平沢 拓
京大院
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山本 敏博
京大院
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坂本 裕樹
京都大学院
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平沢 拓
京都大学院
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平澤 拓
京大工
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鎌田 健
松下電器産業
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仙賀 正俊
京都大学
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島 進
京大
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鳥井 秀雄
松下電器産業(株)材料部品研究所
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野村 幸治
パナソニック(株) 先端技術研究所 ナノプロセス技術グループ
著作論文
- 配向PZT薄膜の作製とマイクロ圧電素子への応用
- マイクロマシンへの空気の影響
- マイクロメンブレンの動作特性解析に関する研究
- 229 マイクロメンブレンの動作特性解析に関する研究
- 機械的ひずみによるPb(Zr,Ti)O_3薄膜の誘電特性の製御に関する研究
- 228 Al/SiO_2 薄膜の界面拡散に及ぼす作成プロセスの影響
- マイクロマシンへの空気の影響(「MEMS研究に役立つシミュレーション技術」)
- マイクロトライボロジーを考慮した構造の最適化