m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製 (電子デバイス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2011-11-17

著者

• 藤川 紗千恵

  独立行政法人理化学研究所

関連論文

• ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 250-350nm帯AlGaN系紫外高輝度LEDの開発 (特集 LED照明の最近の動向)
• ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• InAlGaN窒化物4元混晶を用いた高出力紫外LEDの開発
• 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• AlGaN系深紫外LEDの進展と展望
• m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製 (電子デバイス)
• m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製 (電子部品・材料)
• m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み (レーザ・量子エレクトロニクス)
• AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み (電子デバイス)
• AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• AIGaN系深紫外LEDの進展

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク