RFスパッタリング法によるSi酸化物薄膜作製時における酸素ガス濃度効果
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概要
著者
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中川 晃一
明治大学理工学部
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岩井 祐貴
明治大学理工学部
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津田 俊幸
Department Of Electronics & Communication School Of Science & Technology Meiji University
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