Nitridation of Silicon by Using Nitrogen-Helium Mixture Plasma (第43回真空に関する連合講演会プロシーディングス--2002年10月16日〜18日,大阪)
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概要
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For nitrogen-helium mixture plasma, intensities of reactive species such as nitrogen molecular ion and excited nitrogen molecular were measured by changing the mixing ratio of helium to nitrogen in an electron cyclotron resonance plasma. When the discharge gas pressure was kept constant, the intensity of reactive species had a maximum to the mixing ratio. Silicon wafer was exposed to the nitrogen-helium mixture plasma with different mixing ratio of helium to nitrogen. The degree of the nitridation corresponded to the intensity of the reactive species. For an enhancement of nitridation, it is useful to change the mixing ratio of helium to nitrogen.
- 日本真空協会の論文
- 2003-03-20
著者
-
山内 有二
北大院工
-
山内 有二
北海道大学大学院工学研究科
-
Hirohata Yuko
Dept. Of Nuclear Engineering Hokkaido Univ.
-
Yamauchi Yuji
Department Of Nuclear Engineering Hokkaido University
-
Hino Tomoaki
Laboratory Of Plasma Physics And Engineering Hokkaido University
-
YAMAUCHI Yuji
Laboratory of Plasma Physics and Engineering, Hokkaido University
-
HIROHATA Yuko
Laboratory of Plasma Physics and Engineering, Hokkaido University
-
ONO Junji
Laboratory of Plasma Physics and Engineering, Hokkaido University
-
Ono Junji
Laboratory Of Plasma Physics And Engineering Hokkaido University
-
Hino T
Department Of Nuclear Engineering Hokkaido University
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