LnNiO<SUB>3-z</SUB>(Ln=La, Pr)及びLaCuO<SUB>3-z</SUB>の酸素欠損と電気伝導
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概要
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We report the preparation, structure and electrical properties of LaNiO<SUB>3-z</SUB>, PrNiO<SUB>2</SUB>3-z and LaCuO<SUB>3-x</SUB>. Wide range of oxygen deficiency was realized by changing the synthetic oxygen pressure. These systems show metallic conductivity even for the samples having a large amount of oxygen vacancy (Z<0.25). The Seebeck coefficient measurement showed that the dominant carrier in LnNiO<SUB>3-z</SUB> system is electron, while hole carrier is dominant in LaCuO<SUB>3-z</SUB> system.
著者
-
武田 保雄
三重大学工学部
-
山本 治
三重大学工学部分子素材工学科
-
佐藤 敦
三重大学工学部分子素材
-
今西 誠之
三重大学工学研究科
-
橋本 裕司
三重大学工学部分子素材工学科
-
佐藤 敦
三重大学工学部分子素材工学科
-
武田 保雄
三重大学工学研究科
-
山本 治
三重大学工学部
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