半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発
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概要
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We have successufully developed a localized plasma etching system for failure analyses in semiconductor devices. The plasma was excited by a capacitively coupled plasma technique using a quartz capillary tube and the system can be operated by both methods of drawing etching gases into the glass tube (inward plasma method) and blowing etching gases out of the tube (outward plasma method). By the former method, we can reduce unfavorable materials leaving behind on the processed surface after processing. This successuful operation is comfirmed by the exposure of wires in 45 nm pattern rule device semiconductor.
著者
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清水 哲夫
独立行政法人産業技術総合研究所
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新堀 俊一郎
株式会社三友製作所
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白山 裕也
株式会社三友製作所
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川上 辰男
株式会社三友製作所
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横須賀 俊太郎
株式会社三友製作所
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樫村 健太
株式会社三友製作所
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綿谷 透
独立行政法人産業技術総合研究所
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内藤 泰久
独立行政法人産業技術総合研究所
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徳本 洋志
独立行政法人産業技術総合研究所
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