ナノギャップ電極を用いた新しい不揮発性メモリの開発
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発
- 小型走査電子顕微鏡用カーボンナノチューブ電子銃の安定性評価
- ナノギャップ電極を用いた新しい不揮発性メモリの開発
- 走査プローブ顕微鏡による表面原子・分子化学分析
- 原子操作と識別技術
- 探針に吸着させた原子種の同定
- 25p-YM-3 原子操作によりSiを捕獲したSTM探針のFIM観察
- 6p-B-12 原子操作によるタングステンシリサイド形成
- 30p-E-10 Asを高ドープしたSi(001)の表面構造
- タングステン上の重水素の吸着
- 1p-M-5 STMによる原子スケール塑性現象 : ステップ形成のメカニズム
- 14a-W-2 Bi-2223薄膜の変調構造
- 26a-Y-2 Si(001)表面上ダイマー欠陥のダイナミックス
- ナノギャップ電極を用いた分子ワイヤの測定
- 半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発
- ナノギャップ電極を用いた, 分子の導電性測定
- 半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発(4) : プラズマ加工中の温度精密計測
- 半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発(3) : 四重極質量分析による加工モニタリング
- ナノギャップ構造を用いた,不揮発抵抗スイッチ効果
- ナーノギャップ構造を用いた, 不揮発抵抗スイッチ効果