一方向発振半導体リングレーザの実現に向けたTEモード半導体光アイソレータの性能評価(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
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概要
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半導体光アイソレータは,強磁性金属の磁化による横磁気光学カー効果を利用した光アイソレータであり,半導体光学素子との一体集積が容易である.半導体光アイソレータを集積した一方向発振半導体リングレーザは,周回光の帰還と発振波長の制御による光フリップフロップメモリへの応用が期待できる.我々は,ハイメサ導波路型のTE (Transverse Electric)モード半導体光アイソレータを用いた小型の一方向発振半導体リングレーザの実現を目指している.半径100um以下,長さが100umで0.5 dBの消光比をもつ光アイソレータ領域をもつ光アイソレータを集積したリングレーザを実現すべく,5 dB/mmの消光比をもつTEモード半導体光アイソレータの構造とその伝搬損失をシミュレーションによって設計した.さらに,設計したアイソレータ素子を受動光導波路上に作製し,その伝搬損失と消光比を評価した.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-10-17
著者
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