非相反双安定半導体レーザの発振状態制御に関する研究(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
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概要
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半導体光アイソレータは,強磁性金属の横磁気カー効果によって一方向伝搬特性を示す.特に,半導体光増幅器の利得が強磁性金属による吸収損失を上回ると,一方向増幅特性を示す.本研究では,半導体光アイソレータを双安定半導体レーザに応用した非相反双安定半導体レーザを作製した.可飽和吸収領域には,電圧印加による発振状態制御を行うための電極を設け,評価を行った.強磁性金属の磁化反転により,102%の光強度変化を得た.
- 2012-10-18
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