半導体光アイソレータを用いたリングレーザの一方向発振化の研究(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
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概要
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半導体リングレーザは光フリップフロップメモリの実現に有力なデバイスである.しかしリングレーザは双方向で発振するため,多くのデバイスの集積化や入出力の分離が難しい.本研究では,半導体光アイソレータを半導体リングレーザに集積し,発振方向で異なる光利得を実現し,発振方向を一方向に限定する半導体リングレーザ素子の作製工程の確立を報告した.
- 2012-10-18
著者
-
清水 大雅
東京農工大学 工学府 電気電子工学専攻
-
坂東 敬広
東京農工大学工学府
-
薄葉 哲史
東京農工大学工学府
-
阪西 祥平
東京農工大学工学府
-
岡崎 大輔
東京農工大学工学府
-
清水 大雅
東京農工大学工学府
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