半導体光アイソレータを用いた一方向発振リングレーザの設計と試作(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
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概要
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半導体リングレーザは全光信号処理のための有力なデバイスとして注目されている。ただし単体のリングレーザは構造の線対称性によって発振状態を予測・制御することが困難である。そこで本研究では、半導体光アイソレータを用いてリングレーザの発振状態を一方向に制御することを目指している。容易に実現可能な3dBの消光比をもつ半導体光アイソレータをリングレーザに導入することによって一方向発振が得られることが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-01-21
著者
-
清水 大雅
東京農工大学工学府電気電子工学専攻
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清水 大雅
東京農工大学 工学府 電気電子工学専攻
-
河野 嘉孝
東京農工大学工学府電気電子工学専攻
-
森 俊秋
東京農工大学工学府電気電子工学専攻
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森 俊秋
東京農工大学 工学府 電気電子工学専攻
-
河野 嘉孝
東京農工大学 工学府 電気電子工学専攻
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