高光損傷耐性位相変調器集積化PPLN導波路を用いた位相感応増幅器の低雑音動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
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概要
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位相感応増幅器(PSA)の雑音特性向上に向けて, 高い光パワー耐性を持つ位相変調器をSHG素子にモノリシック集積した光変調器集積化SHG素子を作製した.変調器集積化SHG素子をPLLに適用しPSAを構成することで, Ti拡散EO変調器を用いた単体のSHG素子および変調器を用いた従来のPSA構成に比べて,雑音特性を向上させることに成功した.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-08-22
著者
-
圓佛 晃次
Nttフォトニクス研究所複合光デバイス研究部
-
竹ノ内 弘和
NTTフォトニクス研究所
-
遊部 雅生
東海大学工学部
-
梅木 毅伺
NTTフォトニクス研究所
-
圓佛 晃次
NTTフォトニクス研究所
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