KTN結晶導波路を用いた光スイッチモジュール(光部品の実装・信頼性, 一般)
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概要
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電気光学KTa_<1-x>Nb_xO_3 : (KTN)結晶およびKTN結晶導波路を用いたマッハツェンダ型光スイッチモジュールについて報告する. 作製したスイッチモジュールはC帯(1, 530-1, 570nm)でスイッチ動作を実現した. スイッチモジュールは波長1, 550nmにおいて, バイアス電圧として3.4V印加時に駆動電圧2.6V, 挿入損失5dB, 消光比18dB, 応答時間<100nsのスイッ特性, 波長帯域40nmで15dBの消光比を示し, 低電圧駆動可能かつコンパクトな光スイッチであった.
- 2005-04-15
著者
-
中村 孝一郎
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
圓佛 晃次
Nttフォトニクス研究所複合光デバイス研究部
-
笹浦 正弘
NTTフォトニクス研究所
-
中村 孝一郎
NTTフォトニクス研究所複合光デバイス研究部
-
豊田 誠治
NTTフォトニクス研究所複合光デバイス研究部
-
藤浦 和夫
NTTフォトニクス研究所複合光デバイス研究部
-
真鍋 かつ江
NTTフォトニクス研究所複合光デバイス研究部
-
藤浦 和夫
NTTアドバンステクノロジ株式会社
-
豊田 誠治
Nttフォトニクス研究所
-
藤浦 和夫
Nttフォトニクス研究所 先端光エレクトロニクス研究部
-
圓佛 晃次
NTTフォトニクス研究所
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