27pAA-4 トポロジカル絶縁体新物質と吸着成長した金属薄膜のARPES(主題:トポロジカル絶縁体・超伝導体の新物質・新構造,領域4,領域6,領域7合同シンポジウム,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2013-08-26

著者

• 相馬 清吾

  東北大WPI

関連論文

• 23pHL-9 ミニモット検出器を用いたスピン分解光電子分光装置の開発:III(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
• 21pGA-5 高分解能光電子分光で見る強相関微細電子構造(21pGA 領域8,領域5,領域3合同シンポジウム:光電子分光によるフェルミオロジー研究の最先端,領域5(光物性))
• 20pGQ-1 Bi薄膜の超高分解能スピン分解ARPES(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pGF-7 CeRu_2Al_のキセノンプラズマ励起光電子分光(23pGF Ce系籠状物質,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 21pGA-5 高分解能光電子分光で見る強相関微細電子構造(21pGA 領域8,領域5,領域3合同シンポジウム:光電子分光によるフェルミオロジー研究の最先端,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20pGH-1 LaFeAsOのキセノンプラズマ励起ARPES(20pGH FeAs系超伝導(分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20aQF-10 キセノンプラズマ発光によるYb_4As_3の高分解能光電子分光(20aQF Yb化合物他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 23aWR-4 キセノンプラズマ発光によるSmNiC_2の高分解能光電子分光(23aWR f電子系一般,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27aYG-4 ミニモットスピン検出器の開発とV族半金属表面のRashba効果の観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pYE-6 グラフェンの高品質化と高分解能ARPES(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
• 26pXA-9 ミニモット検出器を用いたスピン分解光電子分光装置の開発:II(新分光法,MCD/MLD,領域5,光物性)
• 25pRL-2 Ba_K_xFe_2As_2の超伝導ギャップのドープ量依存性 : 高分解能ARPES(鉄系超伝導体2(光電子分光),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 30aVA-2 鉄系高温超伝導体Ba_K_xFe_2As_2の超伝導ギャップの直接観測 : 高分解能ARPES(30aVA 光電子分光(超電導・強相関・磁性),領域5(光物性))
• 30pTC-9 最適ドープBa_K_Fe_2As_2における多体相互作用 : 高分解能ARPES(30pTC 鉄砒素超伝導体6(光電子分光,STM),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 30pTC-8 高分解能ARPESによるホールドープBa_K_xFe_2As_2のフェルミ準位微細電子構造(30pTC 鉄砒素超伝導体6(光電子分光,STM),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 21aTK-2 1H-,5H,及び6H-CaAISiの高分解能角度分解光電子分光(光電子分光(超伝導体・強相関係),領域5,光物性)
• 28aYH-6 単層および多層グラフェンの作成と高分解能ARPES(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pYH-3 1000Kにおけるキッシュグラファイトの角度分解光電子分光(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aRA-3 グラフェンの高分解能角度分解光電子分光(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24pWQ-6 キセノンプラズマ発光ARPESによる不純物置換Bi_2Sr_2CaCu_2O_8の超伝導ギャップ(24pWQ 高温超伝導(不純物置換,同位体効果),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22aTQ-7 キセノンプラズマ発光によるBi系高温超伝導体のバルク敏感超高分解能光電子分光(光電子分光・放射光真空紫外分光,領域5,光物性)
• 30aVA-10 ミニモット検出器を用いたスピン分解光電子分光装置の開発(30aVA 光電子分光(超電導・強相関・磁性),領域5(光物性))
• 20aYD-2 In-"1x1"/Si(111)の電子状態の温度依存性 : 高分解能ARPES(20aYD 放射光・光電子(表面・薄膜・低次元物質),領域5(光物性))
• 20aYD-1 Pb/Si(111)の高分解能ARPES(20aYD 放射光・光電子(表面・薄膜・低次元物質),領域5(光物性))
• 20aYA-14 La(O_F_x)FeAsの高分解能光電子分光(20aYA 鉄オキシニクタイド1(合成,圧力効果,光電子分光など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26aWJ-11 CeSbの微細電子構造 : キセノンプラズマ発光ARPES(26aWJ f電子系一般・アクチナイド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25aWX-3 Bi(111)表面のスピン分解微細電子構造(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pRG-2 ミニモット検出器を用いたスピン分解光電子分光装置の開発:IV(23pRG 光電子分光・放射光真空紫外分光・MCD・X線発光,領域5(光物性))
• 20pQE-10 キセノンプラズマ発光ARPESによるPb置換Bi2201の擬ギャップ(20pQE 高温超伝導(置換効果・不純物効果),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26aRH-4 キセノンプラズマ発光ARPESによるBi2201の超伝導ギャップと擬ギャップ(26aRH 高温超伝導(擬ギャップと超伝導ギャップ),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 30aVA-7 キセノンプラズマ発光ARPESによるCeSbのバンド構造の温度変化(30aVA 光電子分光(超電導・強相関・磁性),領域5(光物性))
• 21aYG-8 キセノンプラズマ発光によるCeSbの高分解能ARPES(21aYG 放射光・分光・回折・光電子分光,領域5(光物性))
• 24pRE-9 Bi_Sb_x(x=0.023)の高分解能ARPES(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
• 角度分解光電子分光による鉄系超伝導体(Ba,K)Fe2As2の多重超伝導ギャップ
• 24pYH-5 高分解能ARPESによるPb超薄膜のバンド構造(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26pTD-4 In-"1x1"/Si(111)のフェルミ面の温度変化(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aTK-3 In-"1x1"/Si(111)の高分解能ARPES(光電子分光(超伝導体・強相関係),領域5,光物性)
• 22aTQ-8 キセノンプラズマ発光による低温超伝導体のバルク敏感超高分解能光電子分光(光電子分光・放射光真空紫外分光,領域5,光物性)
• 24aXK-6 Pb超薄膜の高分解能角度分解光電子分光(ナノチューブ・ナノワイヤ,表面ナノ構造量子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pRH-12 キセノンプラズマ発光によるセメント超伝導体[Ca_Al_O_]^4+(e^-)^4の高分解能光電子分光(25pRH 領域8,領域10合同招待講演,パイロクロア・ダイヤモンド超伝導,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26aHG-5 新トポロジカル絶縁体TlBiSe_2の高分解能ARPES(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aTH-1 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体TlBi(Se_xS_)_2の電子状態(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aHB-8 タリウム系トポロジカル絶縁体の高分解能ARPES(26aHB 光電子分光(強相関系・表面・薄膜・時間分解),領域5(光物性))
• 26aTH-8 Bi(111)表面における特異なRashba効果 : 高分解能スピン分解ARPES(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aHA-3 TlBi(Se_xS_)_2の表面ディラックコーン電子状態 : 高分解能ARPES(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aTN-9 タリウム系トポロジカル絶縁体の表面ディラック電子状態 : 高分解能ARPES(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
• 23pTR-11 スピン分解ARPESによるBi_2Te_3の表面スピンz成分の直接観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pTR-4 タリウム系トポロジカル絶縁体における量子相転移 : 高分解能ARPES(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aHA-8 高分解能スピン分解ARPESによるBi薄膜における異方的Rashba分裂の観測(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aTN-7 Cu_xBi_2Se_3超伝導体の高分解能ARPES(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
• 高分解能光電子分光によるセメント超伝導体の電子状態
• 高分解能スピン分解光電子分光装置の開発と表面ラシュバ効果の研究
• 26pAD-3 高分解能ARPESによるPb系トポロジカル絶縁体の電子状態(26pAD 光電子分光(トポロジカル絶縁体),領域5(光物性))
• 26pAD-2 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTe_Se_yのディラック電子状態の組成依存性(26pAD 光電子分光(トポロジカル絶縁体),領域5(光物性))
• 26pBD-4 Cu_xBi_2Se_3の高分解能ARPES : Cu濃度依存性(26pBD トポロジカル絶縁体(超伝導体・相間効果・不純物効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pBJ-5 トポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTe_Se_yの角度分解光電子分光(25pBJ トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pYA-12 高分解能ARPESによるLaCo_2B_2超伝導体の電子状態(27pYA 鉄砒素系5(光電子分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25aBJ-5 トポロジカル絶縁体Pb(Bl_Sb_x)_2Te_4の高分解能ARPES(25aBJ トポロジカル絶縁体(物質探索,巨大Rashba系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pCK-3 Bi/Si(111)薄膜における表面電子スピン偏極度の膜厚依存性(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aEA-4 Cu_xBi_2Se_3における多体相互作用 : 高分解能ARPES(21aEA トポロジカル超伝導・マヨラナ粒子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aFJ-13 トポロジカル絶縁体の表面ドーピング制御(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 20aEA-9 TlBi(S,Se)_2のスピン分解ARPES(20aEA トポロジカル絶縁体(理論・新物質),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aEA-8 Pb系トポロジカル絶縁体のスピン分解ARPES(20aEA トポロジカル絶縁体(理論・新物質),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pFE-6 Sb薄膜のスピン分解ARPES(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aFJ-12 Tl系トポロジカル絶縁体の量子相転移近傍におけるスピン依存電子構造(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 28pXG-5 トポロジカル絶縁体のバルクヘテロ構造制御によるディラックコーンの操作(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXG-4 トポロジカルクリスタル絶縁体SnTeの高分解能ARPES(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXG-3 Pb系トポロジカル絶縁体のフェルミ面ワーピング効果 : スピン分解ARPES(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aEJ-7 金属吸着したトポロジカル絶縁体表面の高分解能ARPES(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 29aEJ-9 W(110)表面の高分解能ARPES(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 25pDK-9 トポロジカル超伝導体候補物質Sn_In_xTeの電子構造 : 高分解能ARPES(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aJA-8 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体のフェルミ面ワーピング効果(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aJA-7 金属蒸着TlBiSe_2の電子構造:高分解能ARPES(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aJA-9 高分解能ARPESによるBi/Si(111)表面の特異な電子状態(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pDE-9 Mg-Cu-Gd金属ガラスの高分解能光電子分光(液体金属(液体金属・アモルファス),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 28pDB-7 Fe/W(110)の高分解能ARPES(光電子分光(磁性体,表面・薄膜),領域5(光物性))
• 25pDK-8 トポロジカルクリスタル絶緑体(Pb, Sn)Teの電子状態 : 高分解能ARPES(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pAA-4 トポロジカル絶縁体新物質と吸着成長した金属薄膜のARPES(主題:トポロジカル絶縁体・超伝導体の新物質・新構造,領域4,領域6,領域7合同シンポジウム,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aBF-9 Bi蒸着TlBiSe_2の電子状態 : 高分解能ARPES(28aBF トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aBF-10 トポロジカルクリスタル絶縁体SnTeの電子構造の面方位依存性(28aBF トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク