High-KLTCCを用いたMEMS可変フィルタ : 超小形、超低挿入損を特徴とする(招待講演,異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
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概要
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低挿入損かつ小形で広い可変帯域を持ち、KバンドとSバンドを動作帯域とするMEMS可変バンドパスフィルタを開発した。このフィルタはMEMSバラクタを可変素子とするマイクロストリップ共振子を高誘電率LTCC(low-temperature-co-fired-ceramics)配線ウエハにMEMS-on-LTCC技術を用いて形成した。このMEMS-on-LTCC技術は高誘電率材料をフィルタの基板として用いることを可能とし小形化と低損失を実現した。
- 2011-11-21
著者
-
豊田 治
株式会社富士通研究所
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上田 知史
富士通株式会社
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豊田 治
富士通研
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中澤 文彦
富士通研究所
-
上田 知史
富士通研究所
-
ミイ シャオユウ
富士通
-
ミイ シャオユウ
富士通:富士通研究所:技術研究組合超先端電子技術開発機構
-
中澤 文彦
(株)富士通研究所機能デバイス研究部:技術研究組合超先端電子技術開発機構三次元集積化技術研究部
-
上田 知史
(株)富士通研究所機能デバイス研究部:技術研究組合超先端電子技術開発機構三次元集積化技術研究部
-
上田 知史
富士通
-
中澤 文彦
富士通
-
豊田 治
富士通
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