MEMS-on-LTCC技術を用いた小型チューナブルフィルタ(<特集>LSIと高密度実装から見た異種機能集積技術への期待と課題招待論文)
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概要
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本論文はK (18〜26 GHz), Ku (12〜18 GHz), S (2〜4GHz)バンドのMEMSチューナブルフィルタの開発成果について報告する.開発した各バンドのフィルタは世界最小のサイズとトップクラスの挿入損を実現している.これらのチューナブルフィルタはMEMSバラクタと一体化したマイクロストリップ共振器からなるフィルタ構造を採用し,高誘電率LTCC配線ウェーハ表面上に直接形成した.K, Kuバンドのフィルタには比誘電率20のLTCC基板材料を,Sバンドのフィルタには比誘電率50のLTCC基板材料をそれぞれ適用した.製造技術としてはMEMS-on-LTCC技術を新たに開発し,高誘電率LTCC配線基板の大口径ウェーハ化とLTCCウェーハ表面へのMEMS構造の直接形成に成功した.また,抵抗ビアをLTCC基板に内蔵する技術も開発し,抵抗ビアによる高周波信号の漏えい遮断効果を検証した.SバンドのMEMSチューナブルフィルタを用いてRF信号に対する耐電力試験を行い,携帯電話の電力レベルに対して十分な線形性を有することを確認した.
- 2012-08-01
著者
-
上田 知史
(株)富士通研究所ペリフェラルシステム研究所
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豊田 治
株式会社富士通研究所
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豊田 治
(株)富士通研究所
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中澤 文彦
富士通研究所
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上田 知史
富士通研究所
-
ミイ シャオユウ
富士通:富士通研究所:技術研究組合超先端電子技術開発機構
-
中澤 文彦
(株)富士通研究所機能デバイス研究部:技術研究組合超先端電子技術開発機構三次元集積化技術研究部
-
ミイ シヤオユウ
(株)富士通研究所機能デバイス研究部
-
上田 知史
(株)富士通研究所機能デバイス研究部:技術研究組合超先端電子技術開発機構三次元集積化技術研究部
-
中澤 文彦
(株)富士通研究所機能デバイス研究部
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