極微細MOSFETにおけるチャネル長変調係数のゲート電圧依存性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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極微細MOSFETのドレイン電流解析モデルにおいて,飽和ドレイン電流の特性を決定するチャネル長変調係数は,ディジタル回路における遅延特性を特徴付けるのみならず,アナログ回路特性を決定付ける重要なパラメータである.本報告では,ゲート長が20nmレベルのMOSFETのドレイン電流の実測値を用い,チャネル長変調係数のゲート電圧依存性をモデル化した.さらに,回路シミュレーションにより,ソース・ドレイン寄生抵抗のモデルパラメータへ影響を検討し,チャネル長変調係数のゲート電圧依存性が,極微細MOSFETの内因的な特性であることを見出した.
- 2011-11-03
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