極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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概要

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極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果を調べた。寄生抵抗の高次の効果を含む飽和ドレイン電流を導出した。その電流式でゲート長が18nmのドレイン電流を計算すると,1次項までの誤差は10.1%,2次までは3.2%,3次までは1.0%であった。この誤差の原因を調べるため,各高次項を3つの無次元化した成分に分解してその成分を比較した。その結果,チャネル抵抗に対するソース・ドレイン抵抗の比が支配的であった。このことから,ナノスケールMOSFETの設計において、チャネル抵抗に対するソース・ドレイン抵抗の比を低減することが重要であることが分かった。
一般社団法人電子情報通信学会の論文
2011-11-03

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