尹 鍾鐵 | 京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
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概要
関連著者
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廣木 彰
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
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尹 鍾鐵
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
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冨山 賢司
京都工芸繊維大学
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中出 育成
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
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井上 史貴
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
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山本 真大
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
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冨山 賢司
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
著作論文
- 20nm MOSFETにおけるソース・ドレイン抵抗の電気特性パラメータへの影響
- 極微細MOSFETにおけるチャネル長変調係数のゲート電圧依存性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 20nm MOSFETにおけるソース・ドレイン抵抗の電気特性パラメータへの影響
- 20nm以細MOSFETの実効移動度モデルの反転層電荷閉じ込めを考慮した評価 (シリコン材料・デバイス)
- 極微細MOSFETにおけるチャネル長変調係数のゲート電圧依存性
- 極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果
- 20nm以細MOSFETの実効移動度モデルの反転層電荷閉じ込めを考慮した評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)