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山本 真大 | 京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
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関連著者
廣木 彰
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
尹 鍾鐵
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
山本 真大
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
著作論文
20nm以細MOSFETの実効移動度モデルの反転層電荷閉じ込めを考慮した評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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