20nm MOS回路設計のためのMOSFET解析モデル(半導体材料・デバイス)
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概要
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本研究では,新規に回路設計のためのMOSFET解析モデルを提案した.本モデルは,ドレーンコンダクタンスのゲート電圧依存性を考慮している.ゲート長が65nm以細のMOSFETに対して,本モデルとα乗則モデルを実測と比較することにより,本モデルがゲート長が20nmのMOSFETまで電流電圧特性を精度良く計算可能なことを示した.一方,α乗則モデルは,ゲート長が短くなるに従って,実測値との誤差が増大することを示した.特に,ゲート長が20nmのMOSFETでは,誤差が急激に増大する.この誤差増大の原因が,ドレーンコンダクタンスのゲート電圧依存性であることを示した.また,物理的考察に基づいたMOSFET解析モデルを用いて,ドレーンコンダクタンスのゲート電圧依存性及び本モデルの適応範囲を明確にした.更に,本モデルと実測及びα乗則モデルと実測との誤差のゲート電圧及びドレーン電圧依存性を詳細に検討することにより,本モデルの優位性を示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-04-01
著者
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