Ni上Snめっき層のへら状成長物の要因とはんだ溶解性一考察(機構デバイスの信頼性、信頼性一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Niめっき上のSnめっき層にはへら状のNi-Sn成長物が成長する.この成長物の生成因子を検討した.その結果,多くのめっきの種類で発生することがわかった.このNi-Sn化合物のはんだ溶解性も確認した結果,溶解することがわかった.またリフロ品には発生しなかった.
- 2011-02-11
著者
関連論文
- 3-3 エンドライフ評価とステップタイム試験(セッション3「試験、故障解析、部品、要素技術の信頼性、ハードウェア面、管理手法適用事例」)
- 1-3 毛髪銀の生成伸長における硫化試験の考察(セッション1「試験,故障解析,部品,要素技術の信頼性,ハードウェア面(1)」)
- 2-3 鉛フリーはんだの疲労寿命と拡散の関係一考察(セッション2「試験,故障解析,部品,要素技術の信頼性,ハードウェア面」)
- 赤りん系難燃剤採用樹脂の機構部品に及ぼす影響(機構デバイスの信頼性,信頼性一般)
- 赤りん系難燃剤採用樹脂の機構部品に及ぼす影響(機構デバイスの信頼性,信頼性一般)
- 六価クロム検出加速試験の一考察(電子デバイスの信頼性,信頼性一般)
- 2-2 六価クロム検出加速試験の一考察(セッション2「試験,故障解析,部品,要素技術の信頼性,ハードウェア面」)
- チップタンタル電解コンデンサの信頼性比較(電子部品の信頼性,信頼性一般)
- セッション1-1 銀電極はんだコート品の硫化故障試験例(信頼性・品質3学会合同シンポジウム)
- 銀電極はんだコート品の硫化故障試験例
- ライフ・エンド評価の一考察 : ステップ・タイム評価(電子デバイスの信頼性,信頼性一般)
- Ni上Snめっき層のへら状成長物の要因とはんだ溶解性一考察(機構デバイスの信頼性、信頼性一般)
- Ni上Snめっき層のへら状成長物の要因とはんだ溶解性一考察(機構デバイスの信頼性、信頼性一般)
- 接触の信頼性(接合・接触の信頼性)
- 信頼性雑感 : 壊れ難さと壊れ方
- Ni-Sn間に成長するへら状生成物一考察(2)(機構デバイスの信頼性,信頼性一般)
- Ni-Sn間に成長するへら状生成物一考察(2)(機構デバイスの信頼性,信頼性一般)
- イオンマイグレーションの成長メカニズムと試験方法(デンドライトとウィスカ)
- ウィスカ生成要因と成長メカニズム(デンドライトとウィスカ)
- Ni-Sn間に成長するへら状生成物一考察(2)
- ライフエンド評価の一考察(2) : FMEAの検討
- 1-4 Ni-Sn間のへら状生成物一考察(セッション1「試験と要素技術」)
- 日本信頼性学会関西支部2012年度第3回見学会報告 : 月桂冠株式会社
- ウィスカ生成要因と成長メカニズム
- ライフエンド評価の一考察(2) : FMEAの検討(電子デバイスの信頼性,信頼性一般)