平衡形円板共振器法の測定限界に関する検討(学生研究会,学生研究会/一般)

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概要

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平衡形円板共振器法が誘電体積層基板の垂直方向の複素誘電率(比誘電率ε_m,誘電正接tanδ_n)の測定に用いられる。最近、1個の共振器で共振周波数が異なるTM_<0m0>モードを用いて広帯域に複素誘電率の周波数依存性測定を行うことが可能になった。本報告では、まず始めに半径方向および励振孔の放射条件に関して検討を行った。さらにtanδ_n=10^<-4>程度の低損失誘電体基板としてシクロオレフィンポリマー系基板(ZF-16)およびPTFE基板、tanδ_n=10^<-3>程度の中損失誘電体基板としてガラスクロス・PTFE積層基板(CGA500)、tanδ_n=10^<-2>程度の高損失誘電体基板としてガラスクロス・エポキシ樹脂積層基板(FR-4)の周波数依存性測定を行い誘電正接の測定限界に関して検討を行った。測定結果より本測定法は、低損失および中損失の誘電体基板の測定に有効であることを示した。
2010-09-02

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