カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリの開発(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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トップゲートを有するカーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CNT-FET)を用いて不揮発性メモリデバイスを作製した。単層カーボンナノチューブチャネル付近に存在する水分子を取り除いた後、SiN_x、SiO_2の絶縁保護膜を蒸着することによって、デバイスのヒステリシス特性を制御した。作製したCNT-FETメモリデバイスは、チャネルヘの電界の集中により比較的低電圧で書き込み/消去ができ、良好な保持時間特性を示した。さらに、単正孔の絶縁層への注入、除去の現象を観察することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-02-15
著者
-
前橋 兼三
阪大産研
-
松本 和彦
大阪大 産科研
-
大野 恭秀
大阪大学産業科学研究所
-
前橋 兼三
大阪大学産業科学研究所
-
井上 恒一
大阪大学産業科学研究所
-
松本 和彦
大阪大学産業科学研究所
-
大堀 貴大
大阪大学産業科学研究所
-
永曽 悟史
大阪大学産業科学研究所
-
OHNO Yasuhide
大阪大学産業科学研究所
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