SiN_x保護膜を有するCNT-FETを用いたCMOSインバータの開発(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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SiN_x保護膜を有するCNT-FETを用いて、CMOSインバータの作製に成功した。SiN_x保護膜の形成によってn型、成膜後のアニ-ル処理によってp型のCNT-FETを作製し、伝導特性の制御を行った。この方法と、フォトリソグラフィー・リフトオフ技術を組み合わせることで、SiN_x保護膜のパターニングを行い、同一基板上にp型・n型のCNT-FETを作製した。これらを組み合わせることでCMOSインバータを構成した。静特性では、インバータが正確に動作していること、ゲインが3程度であることが確認できた。また、動特性では、100Hzでの動作に成功した。
- 2010-02-15
著者
-
前橋 兼三
阪大産研
-
松本 和彦
大阪大 産科研
-
岸本 貴臣
大阪大学産業科学研究所
-
大野 恭秀
大阪大学産業科学研究所
-
前橋 兼三
大阪大学産業科学研究所
-
井上 恒一
大阪大学産業科学研究所
-
松本 和彦
大阪大学産業科学研究所
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