D25 SiC単結晶の研磨能率向上の試み(OS-10 研磨技術)

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概要

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• The single-crystal SiC is capturing the spotlight as a substrate for next-generation power devices. In specula surface polish processing, single-crystal SiC needs very long processing time. In order to reduce processing cost, the high promotion of efficiency of specula surface polishing processing serves as an important point. In this research, the possibility of the high efficiency polishing by the combination of a grain and an oxidizer was explored. It became clear that the polish efficiency whose combination of the ceria abrasive-grain and an oxidizer is very high was demonstrated as a result.

• 社団法人日本機械学会の論文
• 2008-11-21

著者

• 佐藤 誠

  株式会社数理システム

• 野浪 亨

  中京大学

• 奥田 和弘

  株式会社ノリタケカンパニーリミテド

• 佐藤 誠

  株式会社ノリタケカンパニーリミテド

• 野田 賢二

  株式会社ノリタケカンパニーリミテド

• 野浪 亨

  名古屋工業大学大学院

• 佐藤 誠

  北九州医療刑務所

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