21pHW-4 Ni-Nb-Zr-H系金属ガラス室温電界効果型トランジスタ(21pHW 量子ドット・グラフェン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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概要
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- 2010-03-01
著者
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井上 明久
東北大学金属材料研究所
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井上 明久
東北大金研
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福原 幹夫
東北大金研
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瀬戸 美保子
東北大金研
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井上 明久
東北大学
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井上 明久
東北大学 金属材料研究所
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井上 明久
東北大
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Inoue Akihisa
Department Of Materials Science Osaka Prefecture University
-
Inoue Akihisa
Wpi Advanced Institute For Materials Research Tohoku University
-
Inoue A
Tohoku Univ. Sendai
-
Inoue Akihisa
Wpi-advanced Institute For Materials Research Tohoku University
-
Inoue Akihisa
Wpi Advanced Inst. For Materials Res. Tohoku Univ.
-
Inoue Akihisa
Wpi Tohoku University
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