26aRL-10 充填スクッテルダイト(Pr_<1-x>La_x)Os_4Sb_<12>のラットリングとトンネリング(籠状物質,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)

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概要

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• 2009-08-18

著者

• 落合 明

  東北大院理

• 荒木 幸治

  新潟大院自然

• 赤津 光洋

  新潟大院自然

• 根本 祐一

  新潟大院自然

• 後藤 輝孝

  新潟大院自然

• 阿野 元貴

  新潟大院自然

• 荒木 幸冶

  新潟大院自然

• 武田 直也

  新潟大工

• 菅原 仁

  徳島大総合科

• 佐藤 英行

  首都大院理

• 石井 勲

  広大院先端物質

• 武田 直也

  新大工

• 佐藤 英行

  首都大理工

• 戸谷田 貴志

  新潟大院自然

• 落合 明

  東北大理

• 後藤 輝孝

  東北大学科学計測研究所

• 根本 佑一

  新潟大院自然

• 後藤 輝孝

  新潟院自然:jst-trip

• 阿野 元貴

  新潟大学院自然

• 石井 勲

  広大院先端

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