O_3-TEOS膜によるMEMS貫通配線絶縁膜の評価(<特集>次世代電子機器における先端実装技術と環境調和型実装技術論文)
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概要
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センサの小型化の要求に対して縦集積MEMSセンサを実現するにあたり,MEMSの貫通配線が必要である.貫通配線とSi基板を電気的に絶縁する配線側壁の絶縁膜形成はMEMSの貫通配線を実現するための要素技術の一つである.φ10μm/深さ400μmという高いアスペクトの貫通孔に対する絶縁膜の作製という課題に対し,本論文ではO_3-TEOS CVDにより作製した絶縁膜の電気特性,FT-IR特性,BHFエッチングレートを評価し,縦集積MEMSセンサへの適用性可能性の評価を行った.また,貫通孔に対してCuをフィリングすることで貫通配線を形成して絶縁性の評価を行った結果,配線間抵抗が20MΩ以上であることを確認できた.これらのことからO_3-TEOSによる絶縁膜が縦集積MEMSセンサに適用が可能であることを実証した.
- 2009-11-01
著者
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佐々木 昌
オムロン株式会社技術本部
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佐々木 昌
オムロン(株)先端デバイス研究所
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佐々木 昌
オムロン株式会社 中央研究所
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大場 正利
オムロン株式会社技術本部
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金井 聡庸
オムロン株式会社コアテクノロジーセンタ
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森口 誠
オムロン株式会社テクノロジーコラボレーションセンタ
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大場 正利
オムロン株式会社
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森口 誠
オムロン株式会社
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佐々木 昌
オムロン株式会社
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