半導体デバイス特性への光照射効果の数値計算
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Light illumination effects on semiconductor device characteristics are investigated by numerical simulation. Numerical solutions for Poisson equation, current equations and continuity equations are obtained using the finite difference method. Depth profiles of potentials, current densities and carrier concentrations are evaluated for Si pn junctions under illumination. Physical mechanisms in semiconductors can be understood referring to calculated results.
- 福山大学の論文
著者
関連論文
- 埋込チャネルMOSキャパシタのC-V特性の数値計算(半導体材料・デバイス)
- 半導体デバイス特性への光照射効果の数値計算
- 小信号アドミッタンス計算による埋め込みチャネルMOSキャパシタのC-V特性
- チャージポンピング法によるMOS界面準位密度の測定
- 埋め浴みチャネルMOSキャパシタの高周波C-V特性
- 埋込みチャネルMOSキャパシタの高周波C-V特性
- MOSキャパシタの容量と等価回路
- 埋め込みチャネルMOSキャパシタのC-V特性