埋込みチャネルMOSキャパシタの高周波C-V特性
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概要
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n形Si基板の表面に薄いp形層をもつ埋込みチャネルMOSキャパシタの平衡状態での高周波C-V特性は,空乏領域から表面p形層が蓄積状態となる領域(n形基板にとっては反転領域)にかけて,ゲート電圧を負方向に変化させると,容量は減少し極小値を示した後わずかに増加し飽和するという特性を示す.この極小値の存在は,埋込みチャネルMOSキャパシタに特有の特性である.埋込みチャネルMOSキャパシタの高周波容量と空乏層幅との関係について考察することにより,極小値をもつ物理的意味を調べた.そして,この原因は,高周波信号に対して正孔の総量は変化しないが,その濃度分布が変化するためであることを明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-01
著者
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