小信号アドミッタンス計算による埋め込みチャネルMOSキャパシタのC-V特性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• Capacitance-voltage (C-V) characteristics of buried-channel MOS capacitors have been studied by small-signal admittance calculation. A numerical method for small-signal ac solutions of equations describing device electrical characteristics is presented. Using the method, the peculiar high-frequency C-V characteristics for buried-channel MOS capacitors are explained. It is found that the capacitance depends on measurement frequency in the accumulation region for buried-channel devices when the counter-doped layer is deep or the impurity concentration of the counter-doped layer is high. Depth profiles of various ac variables, such as current densities and carrier concentrations, are also calculated.

• 福山大学の論文

著者

• 三宅 雅保

  福山大学工学部電子電気工学科

関連論文

• 埋込チャネルMOSキャパシタのC-V特性の数値計算(半導体材料・デバイス)
• 半導体デバイス特性への光照射効果の数値計算
• 小信号アドミッタンス計算による埋め込みチャネルMOSキャパシタのC-V特性
• チャージポンピング法によるMOS界面準位密度の測定
• 埋め浴みチャネルMOSキャパシタの高周波C-V特性
• 埋込みチャネルMOSキャパシタの高周波C-V特性
• MOSキャパシタの容量と等価回路
• 埋め込みチャネルMOSキャパシタのC-V特性

スポンサーリンク